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  Transistor  (21.735 Angebote unter 16.064.456 Artikeln)Zum Expertenwissen

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MULTICOMP PRO 2N5884.. BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3, Tra (1 Angebot) 
MSL: - Wandlerpolarität: PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Bauform - Transistor: TO-3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Qualifikation: - Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Verlustleistu...
Multicomp
2N5884..
ab € 2,53*
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Analogsignal-Trennwandler, 2x Strom / Transistor, Schraubklemme (7 Angebote) 
Bezeichnung=Analogsignal-Trennwandler, Typ=1453210000, Alternative (Alias)=ACT20P-UI-AO-DO-LP-S, Ansprechdauer=450 ms, Anzahl Ausgangskanäle=2, Betriebsspannung max. – AC=-888, Betriebsspannung max...
Weidmüller
1453210000
ab € 247,92*
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IGBT Modul NCH 1200V 25A 160W ECONO25-24 FP25R12KT4B15BOSA1 (1 Angebot) 
Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung und Temperaturwechselfähigkeit * Lötkontakt-Technolo...
Infineon
FP25R12KT4B15BOSA1
ab € 81,17*
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DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
ab € 2,20*
pro 10 Stück
 
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfac...
onsemi
SMMUN2216LT1G
ab € 0,02966*
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MULTICOMP PRO 2N5886 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3, Tran (1 Angebot) 
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-3 Verlustleistung: 200 W Betriebstemperatur, max.: 200 °C DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE K...
Multicomp
2N5886
ab € 3,47*
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Komplementärendstufen Germanium-Transistor, PNP, TO1 (3 Angebote) 
Bezeichnung=Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-...
NTE Electronics
NTE102A
ab € 7,99*
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Gate Treiber IC, Transistor, PDIP-16, SN75468N (4 Angebote) 
Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...
Texas Instruments
SN75468N
ab € 0,67*
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Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IGW75N60TFKSA1
ab € 4,08*
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Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 V Betriebstemperatur, ma...
Infineon
BFR92PE6327HTSA1
ab € 0,0429*
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MULTICOMP PRO BD241C BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220, T (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 150 °C DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-220 Verlus...
Multicomp
BD241C
ab € 0,40703*
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IGBT Modul NCH 1200V 39A 175W EASY2B2-23 FP25R12W2T4B11BOMA1 (2 Angebote) 
IGBT-Modul, FP25R12W2T4B11BOMA1, Infineon IGBT-Modul Grabenfeldanschlag, dreiphasig, Wechselrichter-Einbaumodul. Features * Geringe Schaltverluste * Kompakte Bauweise * PressFIT-Kontakttechnik * Ro...
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
ab € 46,85*
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DiodesZetex ZXT690BKTC SMD, NPN Transistor 45 V / 3 A 150 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...
Diodes
ZXT690BKTC
ab € 4,97*
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD9N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD9NTR
ab € 0,08631*
pro Stück
 
 Packungen
ONSEMI 2N3904TFR. TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL, (3 Angebote) 
Bauform - Transistor: TO-92 Produktpalette: - MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 625 mW Übergangsfrequenz: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom:...
onsemi
2N3904TFR.
ab € 0,0472*
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.