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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 100 mA (3 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 500 mW, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, Verstärkung m...
Diotec
BC547B
ab € 0,0358*
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STMICROELECTRONICS ULN2803A DARLINGTON-ARRAY, 8NPN, 2803, DIP18 (5 Angebote) 
Beschreibung: DARLINGTON-ARRAY, 8NPN, 2803, DIP18 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 1000 hFE Leistungsverlust Pd: 2.25 W DC Sammelstrom: 500 mA SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) max. Betriebstemperatu...
ST Microelectronics
ULN2803A
ab € 0,28063*
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Transistor BC560CG PNP 45 V 0,1 A 250 MHz, HFE:100, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor BC560C - Diskrete Bauteile - Transistoren bipolar
ON Semiconductor
BC560CG
ab € 0,0365*
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD243C TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220-3 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 15 hFE Leistungsverlust Pd: 65 W DC Sammelstrom: 6 A SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC M...
Fairchild
BD243C
ab € 0,17*
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Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 500mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistortyp: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 100mA Leistung: 500mW Gehäuse: TO92 Transistorverstärkung: 200 Montage: THT Verpackungs-Art: Ammo ...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC547B
ab € 0,01071*
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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 800 mA (3 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 625 mW, Verstärkung: 160 ...400 , Verstärkung max.: 400, Verstärkung m...
Diotec
BC337-25
ab € 0,0614*
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Transistor SOT-23 PNP -45 V (4 Angebote) 
Transistor, Marking: 3Fs, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -45 V, Transitfrequenz: 250 MHz, Verlustleistung: 330 mW, Verstärkung: 220 ...475 , Verstärkung max.: 475, ...
Infineon
BC857B
ab € 0,0215*
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Transistor SOT-23 NPN 45 V 0.1 A (1 Angebot) 
Transistor, Marking: 1F*, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, V...
NXP
BC847B
ab € 0,0153*
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Transistor TO-18 NPN 40 V 800 mA (2 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-18, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 40 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 500 mW, Verstärkung: 75 ...375 , Verstärkung max.: 375, Verstärkung min.: 75
NTE Electronics
NTE123A
ab € 1,2446*
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ON SEMICONDUCTOR SMMUN2111LT1G TRANS., AEC-Q101, PNP, 10K/10K, SOT-23-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: TRANS., AEC-Q101, PNP, 10K/10K, SOT-23-3 RoHS konform: Ja HF-Transistorgehäusestil: SOT-23 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Basiseingangswiderstand R1: 10 kohm SVHC: No SVHC (12-J...
ON Semiconductor
SMMUN2111LT1G
ab € 0,0712*
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN TRANSISTOR-ARRAY, NPN, 2003, DIP16 (6 Angebote) 
Beschreibung: TRANSISTOR-ARRAY, NPN, 2003, DIP16 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: - Leistungsverlust Pd: - DC Sammelstrom: 500 mA SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) max. Betriebstemperatur: 70 ᄚC MSL:...
Texas Instruments
ULN2003AN
ab € 0,18*
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ROHM DTA143XUAT106 TRANSISTOR, DIGITAL, PNP, UMT (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, DIGITAL, PNP, UMT RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 30 hFE Leistungsverlust Pd: 200 mW DC Sammelstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) max. Betriebstemperatur: 150 ᄚ...
Rohm Semiconductor
DTA143XUAT106
ab € 0,01584*
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
Kemo
S106
ab € 4,67*
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC558BTA TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -30V, TO-92-3 (4 Angebote) 
Beschreibung: TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -30V, TO-92-3 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 200 hFE Leistungsverlust Pd: 500 mW SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) DC Sammelstrom: -100 mA max. Betriebstempe...
Fairchild
BC558BTA
ab € 0,0238*
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Transistor SOT-23 NPN 45 V 0.1 A (1 Angebot) 
Transistor, Marking: 1G*, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 420 ...800 , Verstärkung max.: 800, V...
NXP
BC847C
ab € 0,0209*
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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