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IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) (6 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4 V Dauerkollektorstrom: 40 A...
Infineon
IKW40N120H3FKSA1
€ 7,25*
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MULTICOMP PRO BD241C. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220, T (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 150 °C Produktpalette: - Dauerkollektorstrom: 3 A DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Übergangsfrequenz: 3 MHz Transistormontage: Through Hole Anzahl der Pins: 3 Pin(s...
Multicomp
BD241C.
€ 1,8341*
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Audio-Transistor, NPN, 16 A, 250 V, THT, TO-264, MJL21194G (4 Angebote) 
Abbildung kann abweichen. Der MJL21194 nutzt die Perforated-Emitter-Technologie und wurde speziell für die Audioausgabe mit hoher Leistung, Plattenkopfpositionierer und lineare Anwendungen entwickelt.
onsemi
MJL21194G
€ 4,02*
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Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, SOT-363 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...
onsemi
BC847BPDW1T1G.
€ 0,25587*
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Fairchild
ISL9V3040S3ST
€ 4,41*
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ONSEMI BC32725TA TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -45V, TO-92-3 (4 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Betriebstemperatur, m...
onsemi
BC32725TA
€ 0,0557*
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, BUZ71-T (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 O...
COMSET Semiconductors
BUZ71-T
€ 3,23*
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123Y Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC123YETL
€ 0,4786*
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DiodesZetex Oberfläche Transistor NPN 45 V / 3 A, TO-252 4-Pin (1 Angebot) 
Produkt Typ = Transistor Kollektorstrom DC max. Idc = 3A Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 45V Gehäusegröße = TO-252 Montageart = Oberfläche Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis ...
Diodes
ZXT690BKTC
€ 1,70*
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ONSEMI BC546BTA. BIPOLAR TRANSISTOR, Transistor Polarity: (1 Angebot) 
ONSEMI BC546BTA. BIPOLAR TRANSISTOR, Transistor Polarity:
onsemi
BC546BTA.
€ 0,40508*
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Audio-Transistor, PNP, 16 A, 250 V, THT, TO-264, MJL21193G (4 Angebote) 
Abbildung kann abweichen. Der MJL21193 nutzt die Perforated-Emitter-Technologie und wurde speziell für die Audioausgabe mit hoher Leistung, Plattenkopfpositionierer und lineare Anwendungen entwickelt.
onsemi
MJL21193G
€ 3,26*
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: BCR35PN Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
Infineon
BCR35PNH6327XTSA1
€ 0,1005*
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Fairchild
ISL9V5036S3ST
€ 5,34*
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m ...
COMSET Semiconductors
IRF830PBF
€ 0,75*
pro Stück
 
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: E...
onsemi
MUN5211T1G
€ 0,1568*
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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