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INFINEON IRGB4059DPBF. SINGLE IGBT, 600V, Transistor Type:IGBT, (1 Angebot) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC DC-Kollektorstrom: 8 A Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Kollektor-Emitter-Sä...
Infineon
IRGB4059DPBF.
ab € 1,6065*
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ALLEGRO SANKEN 2SA1386 TRANSISTOR, PNP, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: -15 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -160 V Ba...
Allegro Microsystems
2SA1386
ab € 2,19*
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Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: ST MICROELECTRONICS Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: IGBT Kollektorstrom im Impuls: 220A Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 40A...
ST Microelectronics
STGW39NC60VD
ab € 1,91*
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Darlington-Transistor TO-220 NPN 120 V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-220 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 120 V Verlustleistung: 80 W Verstärkung: 750 ...1000 Verstärkung max.: 1000 Verstärkung min.: 750
NTE Electronics
NTE2343
ab € 1,72*
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MULTICOMP 2N6438 BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V TO-3, Tra (1 Angebot) 
Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -120 V Verlustleistung Pd: 200 W DC-Kollektorstrom: 25 A DC-Stromverstärkung hFE: 80 hFE Qualifizierungsstandard der...
Multicomp
2N6438
ab € 3,86*
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ALLEGRO SANKEN 2SB1560 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 5000 hFE Verlustleistung Pd: 100 W DC-Kollektorstrom: 10 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 V Ba...
Allegro Microsystems
2SB1560
ab € 1,4874*
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 100 V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-3 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 100 V Verlustleistung: 150 W Verstärkung: 750 ...18000 Verstärkung max.: 18000 Verstärkung min.: 750
NTE Electronics
NTE247
ab € 3,99*
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MULTICOMP D44H10. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220, Tra (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC DC-Stromverstärkung hFE: 60 hFE Übergangsfrequenz ft: 15 MHz Bauform - Transistor: TO-220 DC-Kollektorstrom: 10 A Produktpalette: - Verlustleistung Pd: 50 W Wandler...
Multicomp
D44H10.
ab € 0,46747*
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ALLEGRO SANKEN 2SC3263 TRANSISTOR, NPN, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: 15 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 230 V Bauf...
Allegro Microsystems
2SC3263
ab € 2,50*
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 100 V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-3 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 100 V Verlustleistung: 150 W Verstärkung: 1000 ... Verstärkung min.: 1000
NTE Electronics
NTE249
ab € 6,04*
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NTE ELECTRONICS 2395 Transistor Polarity:N Channel, Continuou (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 ohm Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebstemperatur...
NTE Electronics
2395
ab € 5,43*
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DIODES INC. 2DD2679-13 TRANSISTOR, NPN, SOT89, 0.9W (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 270 hFE Verlustleistung Pd: 900 mW DC-Kollektorstrom: 1.5 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung ...
Diodes
2DD2679-13
ab € 0,0956*
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 500 V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-3 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 500 V Verlustleistung: 175 W Verstärkung: 30 ...300 Verstärkung max.: 300 Verstärkung min.: 30
NTE Electronics
NTE98
ab € 16,61*
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NTE ELECTRONICS 2N3583 TRANSISTOR, NPN, 175V, Transistor Polari (1 Angebot) 
Verlustleistung Pd: 35 W DC-Stromverstärkung hFE: 40 hFE Bauform - Transistor: TO-66 Übergangsfrequenz ft: 20 MHz DC-Kollektorstrom: 1 A Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ce...
NTE Electronics
2N3583
ab € 3,18*
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DIODES INC. BC807-16 TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.5A, SOT23-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: -500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC807-16
ab € 0,01939*
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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