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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-50V; 0,115/-0,13A; 0,2W (4 Angebote) 
Transistor-Typ: N/P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60/-50V Drainstrom: 0.115/-0.13A Leistung: 0.2W Gehäuse: SOT363 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 1...
Diodes
BSS8402DW-7-F
ab € 0,0986*
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HONEYWELL SDP8405-014 TRANSISTOR, PHOTO, NPN, TO-1-2, Transist (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, PHOTO, NPN, TO-1-2, Transist RoHS konform: Ja Hersteller: HONEYWELL Typ: SDP8405-014
Honeywell
SDP8405-014
ab € 0,87861*
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
Beschreibung: Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRF2903ZPBF.
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,87*
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INFINEON IRG7PH35UDPBF. TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction C (2 Angebote) 
Beschreibung: TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction C RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRG7PH35UDPBF.
Infineon
IRG7PH35UDPBF.
ab € 4,72*
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Darlington-Transistor TO-220 NPN 120 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 120 V, Verlustleistung: 80 W, Verstärkung: 750 ...1000 , Verstärkung max.: 1000, Verstärkung min.: 750
NTE Electronics
NTE2343
ab € 1,64*
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 100 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 100 V, Verlustleistung: 150 W, Verstärkung: 750 ...18000 , Verstärkung max.: 18000, Verstärkung min.: 750
NTE Electronics
NTE247
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 100 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 100 V, Verlustleistung: 150 W, Verstärkung: 1000 ... , Verstärkung min.: 1000
NTE Electronics
NTE249
ab € 5,76*
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Darlington-Transistor TO-3 NPN 500 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-3, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 500 V, Verlustleistung: 175 W, Verstärkung: 30 ...300 , Verstärkung max.: 300, Verstärkung min.: 30
NTE Electronics
NTE98
ab € 15,74*
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Darlington-Transistor TO-92 NPN 50 V (1 Angebot) 
Darlington-Transistor, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 50 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 1 W, Verstärkung: 4000 ...40000 , Verstärkung max.: 40000, Ver...
NTE Electronics
NTE48
ab € 2,60*
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HF-Transistor TO-92 NPN 15 V 50 mA (2 Angebote) 
HF-Transistor, Gehäusetyp: TO-92, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 15 V, Transitfrequenz: 800 MHz, Verlustleistung: 600 mW, Verstärkung: 20 ...200 , Verstärkung max.: 200, Verstärkung mi...
NTE Electronics
NTE108
ab € 0,8757*
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Transistor NPN 50 V 8 A (1 Angebot) 
Transistor, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 50 V, Transitfrequenz: 330 MHz, Verlustleistung: 1 W, Verstärkung: 200 ...560 , Verstärkung max.: 560, Verstärkung min.: 200
NTE Electronics
NTE2668
ab € 2,56*
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Transistor SOT-23 PNP (1 Angebot) 
Transistor, Marking: *07, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: 50 V, Verlustleistung: 250 mW
NXP
PDTA144ET
ab € 0,0296*
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Transistor TO-126 NPN 95 V 300 mA (1 Angebot) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 95 V, Transitfrequenz: 1200 MHz, Verlustleistung: 3 W, Verstärkung: 35 ... , Verstärkung min.: 35
NTE Electronics
NTE2633
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Transistor TO-126 PNP -95 V 300 mA (1 Angebot) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-126, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -95 V, Transitfrequenz: 1200 MHz, Verlustleistung: 3 W, Verstärkung: 20 ...35 , Verstärkung max.: 35, Verstärkung min.: 20
NTE Electronics
NTE2634
ab € 3,38*
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Transistor TO-18 NPN 40 V 800 mA (2 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-18, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 40 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 500 mW, Verstärkung: 75 ...375 , Verstärkung max.: 375, Verstärkung min.: 75
NTE Electronics
NTE123A
ab € 1,04702*
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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