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"IGBT"

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BROADCOM LIMITED ACNW3190-000E OPTOKOPPLER,IGBT TREIBER (2 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: DIP RoHS konf...
Broadcom
ACNW3190-000E
ab € 2,16*
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BROADCOM LIMITED ACPL-312T-000E OPTOKOPPLER,IGBT TREIBER (3 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 3.75 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: DIP RoHS k...
Broadcom
ACPL-312T-000E
ab € 2,25*
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BROADCOM LIMITED ACPL-32JT-000E OPTOKOPPLER, IGBT, 2.5A, 5000VRMS (2 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: WSOIC RoHS k...
Broadcom
ACPL-32JT-000E
ab € 4,24*
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BROADCOM LIMITED ACPL-331J-000E OPTOKOPPLER,SMD,IGBT TREIBER (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: SOIC RoHS ko...
Broadcom
ACPL-331J-000E
ab € 2,33*
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BROADCOM LIMITED ACPL-332J-000E OPTOKOPPLER,SMD,IGBT TREIBER (3 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: SOIC RoHS ko...
Broadcom
ACPL-332J-000E
ab € 2,39*
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INFINEON IRG7PH35UDPBF. TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction C (2 Angebote) 
SVHC: To Be Advised MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 kV Verlustleistung Pd: 180 W Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - RoHS-konform bezü...
Infineon
IRG7PH35UDPBF.
ab € 4,72*
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INFINEON IRGB4059DPBF. SINGLE IGBT, 600V, Transistor Type:IGBT, (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 56 W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - DC-Kollektorstrom: 8 A Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC RoHS-konform bezüglich ...
Infineon
IRGB4059DPBF.
ab € 1,4401*
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INFINEON IRGB4061DPBF. IGBT, Collector Emitter Saturation Volta (2 Angebote) 
Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-220 RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised SVHC: To Be Advised MSL: - DC-Kollektorstrom: 36 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Kollektor-Emitter-...
Infineon
IRGB4061DPBF.
ab € 2,09*
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INFINEON IRGB4064DPBF. SINGLE IGBT, 600V, 20A, Transistor Type: (1 Angebot) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Verlustleistung Pd: 101 W Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Bauform - Transistor: TO-220 MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 V ...
Infineon
IRGB4064DPBF.
ab € 1,91*
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BROADCOM LIMITED HCPL-3120-500E OPTOCOUPLER, IGBT, 3.75KV, SM DIP-8 (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 3.75 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: DIP, Oberf...
Broadcom
HCPL-3120-500E
ab € 0,95956*
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BROADCOM LIMITED HCPL-314J-500E OPTOCOUPLER, IGBT, 5KV, WSOIC-16 (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: WSOIC RoHS ...
Broadcom
HCPL-314J-500E
ab € 1,81*
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BROADCOM LIMITED HCPL-316J-500E OPTOCOUPLER, IGBT, 5KV, WSOIC-16 (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Isolationsspannung: 5 kV SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Produktpalette: - Bauform - Optokoppler: WSOIC RoHS k...
Broadcom
HCPL-316J-500E
ab € 2,71*
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INFINEON 1EDI05I12AFXUMA1 IGBT-TREIBER, INV/NICHT INV, 1.3A, DSO-8 (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 300 ns Spitzenausgangsstrom: 1.3 A Eingabeverzögerung: 300 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC...
Infineon
1EDI05I12AFXUMA1
ab € 0,69274*
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INFINEON 1EDI10I12MFXUMA1 IGBT-TREIBER, INV/NICHT INV, 2.3A, DSO-8 (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 300 ns Spitzenausgangsstrom: 2.3 A Eingabeverzögerung: 300 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC...
Infineon
1EDI10I12MFXUMA1
ab € 0,86212*
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INFINEON IRS2127PBF. IC, MOSFET DRVR, Device Type:IGBT / MOSF (1 Angebot) 
Eingabeverzögerung: 150 ns SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Versorgungsspannung, min.: 10 V MSL: - Produktpalette: - Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 290 mA Bauform - Treiber: DIP Betrie...
Infineon
IRS2127PBF.
ab € 1,4177*
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Weitere Informationen zum Thema IGBT
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Der IGBT als Halbleiterbauelement für die Leistungselektronik

Beim IGBT (Insulated Gate bipolar Transistor, auf Deutsch: Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) handelt es sich um einen leistungsfähigen Transistor aus der Leistungselektronik, der äußerst hohe elektrische Spannungen bis hin zu mehreren Kilovolt verarbeiten kann. Auch kann diese Art von Transistor sehr hohe elektrische Ströme bis zu mehreren 1000 Ampere schalten. Dabei vereint dieses Bauteil die Vorteile herkömmlicher Bipolartransistoren mit denen von Feldeffekttransistoren. So besitzen IGBTs beispielsweise eine hohe Robustheit sowie eine nahezu leistungslose Ansteuerung. Diese erfolgt über den sogenannten Gate-Anschluss. Der Laststrom hingegen fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter.

Vorteile des IGBT gegenüber anderen Leistungstransistoren

Durch die Begrenzung des Laststroms durch den IGBT ergibt sich eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen. Gleichzeitig verfügt dieses Leistungsbauteil über ein gutes Durchlassverhalten, das normalerweise einen Vorteil von Bipolartransistoren darstellt. Eine nahezu leistungslose Ansteuerung ergibt sich durch die Tatsache, dass der IGBT nicht durch einen Steuerstrom, sondern eine Steuerspannung geschaltet wird, wie dies auch beim Feldeffekttransistor oder der Elektronenröhre der Fall ist. Durch die extrem hohen Schaltleistungen bei verhältnismäßig geringen Ansteuerleistungen können die Bauteile in zahlreichen Gebieten der Leistungselektronik eingesetzt werden.

Anwendungsgebiete von IGBTs

Diese Bauteile werden in unterschiedlichen Bauformen für verschiedene Gebiete eingesetzt, zu denen beispielsweise Schaltnetzteile zählen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen in USV-Anlagen, Wechselrichter oder Motorantriebe. Außerdem werden die Bauteile häufig in Verbindung mit elektronischen Transformatoren als Leistungsbauteile in Dimmern verwendet. Weitere Anwendungsgebiete bestehen beispielsweise in Zugkraftsteuerungen.

Die Kollektor-Emitter-Spannung des IGBTs

Die Angabe dieser Spannung ist eines der wichtigsten Auswahlkriterien für das Bauteil. Die angegebene Spannung ist eine maximale Spannungsfestigkeit. Äußerst wichtig ist, dass die maximal vorkommenden Spannungen in der vorgesehenen Schaltung zu keiner Zeit diese Spannungsangabe überschreiten können. Hierzu sollten auch unbedingt eventuell auftretende Spannungsspitzen, die abhängig von Schaltgeschwindigkeit und Induktivität der anzusteuernden Last auftreten können, berücksichtigt werden. Besonders durch die Selbstinduktivität von bestimmten Lasten können zum Teil äußerst hohe Induktionsspannungen auftreten, die bei der Dimensionierung des Bauteils berücksichtigt werden sollten.

Verschiedene Bauformen von IGBTs

Die nach Schaltleistung werden IGBTs in unterschiedlichen Gehäuseformen angeboten. Häufig verwendete Bauformen sind beispielsweise TO-220-Gehäuse oder auch Modulgehäuse. Bei der Montage dieser Bauteile sollte allerdings stets auf eine ausreichende Kühlung geachtet werden. Je nach Höhe der auftretenden Verlustleistung muss ein entsprechend dimensionierter Kühlkörper verwendet werden.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext IGBT, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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