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| Artikel-Nr.:
822EL-8629359 Herst.-Nr.:
ISL9V3040P3 EAN/GTIN:
5059042644920 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V
Gate-Source Spannung max. = ±14V
Verlustleistung max. = 150 W
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.67 x 4.7 x 16.3mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 21 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 450 V | Gate-Source Spannung max.: | ±14V | Verlustleistung max.: | 150 W | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.67 x 4.7 x 16.3mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220ab, 8629359, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Fairchild Semiconductor, ISL9V3040P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs, onsemi |
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