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  Schalttransistor  (22.900 Angebote unter 16.876.225 Artikeln)Zum Expertenwissen

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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität:...
onsemi
MMUN2232LT1G
ab € 0,0423*
pro Stück
 
 Stück
Analogsignal-Trennwandler, 2x Strom / Transistor, Schraubklemme (7 Angebote) 
Bezeichnung=Analogsignal-Trennwandler, Typ=1453210000, Alternative (Alias)=ACT20P-UI-AO-DO-LP-S, Ansprechdauer=450 ms, Anzahl Ausgangskanäle=2, Betriebsspannung max. – AC=-888, Betriebsspannung max...
Weidmüller
1453210000
ab € 244,27*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
ab € 2,28*
pro 10 Stück
 
 Packung
MULTICOMP PRO 2N5884.. BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3, Tra (1 Angebot) 
Wandlerpolarität: PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V MSL: - Bauform - Transistor: TO-3 Qualifikation: - Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Verlustleistung: 200 W Übergangsfrequenz:...
Multicomp
2N5884..
ab € 3,36*
pro Stück
 
 Stück
Gate Treiber IC, Transistor, PDIP-16, SN75468N (4 Angebote) 
Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...
Texas Instruments
SN75468N
ab € 0,56*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 (4 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 V Betriebstemperatur, ma...
Infineon
BFR92PE6327HTSA1
ab € 0,0509*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXT690BKTC SMD, NPN Transistor 45 V / 3 A 150 MHz, DPAK (TO-252) 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...
Diodes
ZXT690BKTC
ab € 4,78*
pro 5 Stück
 
 Packung
MULTICOMP PRO 2N5886 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3, Tran (1 Angebot) 
Verlustleistung: 200 W Betriebstemperatur, max.: 200 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Produktpalette: - MSL: - Übergangsfrequenz: 4 MHz Dauer-Kollektorstrom: 25 A Bauform - ...
Multicomp
2N5886
ab € 4,46*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 25A 160W ECONO25-24 FP25R12KT4B15BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...
Infineon
FP25R12KT4B15BOSA1
ab € 82,19*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC114T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolar...
ROHM Semiconductor
DTC114TETL
ab € 0,03874*
pro Stück
 
 Packungen
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Fairchild
ISL9V3040P3
ab € 9,34*
pro 5 Stück
 
 Packung
MULTICOMP PRO BD241C BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220, T (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Übergangsfrequenz: 3 MHz Bauform - ...
Multicomp
BD241C
ab € 0,39532*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 320A 1050W ECONOD4-11 FF225R12ME4B11BPSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FF225R12ME4B11BPSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige V * Standardgehäuse * Hohe Wärmebeständigkeit * Hohe Verl...
Infineon
FF225R12ME4B11BPSA1
ab € 146,84*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: E...
onsemi
MUN5211T1G
ab € 0,07304*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) (4 Angebote) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierliche...
Infineon
IGW40N65F5FKSA1
ab € 2,05*
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
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