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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 100 mA (3 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 300 MHz, Verlustleistung: 500 mW, Verstärkung: 200 ...450 , Verstärkung max.: 450, Verstärkung m...
Diotec
BC547B
ab € 0,035*
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Transistor (BJT) - Arrays STMicroelectronics ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington (4 Angebote) 
Transistor (BJT) - Arrays Technische Daten: Anzahl Kanäle: 8 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE...
ST Microelectronics
ULN2803A
ab € 0,24*
pro Stück
 
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Transistor SOT-23 NPN 45 V 0.1 A (1 Angebot) 
Transistor, Marking: 1G*, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 420 ...800 , Verstärkung max.: 800, V...
NXP
BC847C
ab € 0,0209*
pro Stück
 
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Transistor BC547C A1 NPN 45 V 100 mA, HFE:420, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor NPN 45V 100mA hfe420-800 TO92 - Diskrete Bauteile - Transistoren bipolar
Taiwan Semiconductor
BC547C A1
ab € 0,0233*
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ON SEMICONDUCTOR MUN2211T1G TRANSISTOR, 50V, 10K/10K, SC-59 (4 Angebote) 
Beschreibung: TRANSISTOR, 50V, 10K/10K, SC-59 RoHS konform: Ja HF-Transistorgehäusestil: SC-59 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Basiseingangswiderstand R1: 10 kohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) W...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,01039*
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Transistor TO-92 BL NPN 45 V 800 mA (3 Angebote) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 625 mW, Verstärkung: 160 ...400 , Verstärkung max.: 400, Verstärkung m...
Diotec
BC337-25
ab € 0,0614*
pro Stück
 
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Transistor (BJT) - diskret Fairchild Semiconductor BC547BTF TO-92-3 1 NPN (3 Angebote) 
Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC...
Fairchild
BC547BTF
ab € 0,0362*
pro Stück
 
 Stück
Transistor SOT-23 NPN 45 V 0.5 A (2 Angebote) 
Transistor, Marking: 6C*, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 0.25 W, Verstärkung: 250 ...600 , Verstärkung max.: 600, V...
NXP
BC817-40
ab € 0,0112*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; 400mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200mA Leistung: 400mW Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Montage: THT...
ON Semiconductor
2N7000TA
ab € 0,0511*
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MULTICOMP BC141-16 TRANSISTOR, NPN, TO-39 (1 Angebot) 
Beschreibung: TRANSISTOR, NPN, TO-39 RoHS konform: Ja DC Stromgewinn hFE: 30 hFE Leistungsverlust Pd: 800 mW SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) DC Sammelstrom: 1 A max. Betriebstemperatur: 200 ᄚC MSL: - S...
Multicomp
BC141-16
ab € 0,36308*
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NEXPERIA PDTA143ET TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 (2 Angebote) 
Beschreibung: TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 RoHS konform: Ja HF-Transistorgehäusestil: SOT-23 Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Basiseingangswiderstand R1: 4.7 kohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Wi...
NEXPERIA
PDTA143ET
ab € 0,0223*
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 Stück
Transistor SOT-23 NPN 30 V (4 Angebote) 
Transistor, Marking: 1Ls, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 30 V, Transitfrequenz: 250 MHz, Verlustleistung: 330 mW, Verstärkung: 420 ...800 , Verstärkung max.: 800, V...
Infineon
BC848C
ab € 0,014*
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Leistungstransistor SOT-23 NPN 150 V (3 Angebote) 
Leistungstransistor, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: NPN, Kollektor-Emitter Spannung: 150 V, Transitfrequenz: 180 MHz, Verlustleistung: 0.625 W, Verstärkung: 300 ... , Verstärkung min.: 300
Diodes
FMMT625TA
ab € 0,5274*
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 Stück
Transistor TO-92 BL PNP -45 V -500 mA (1 Angebot) 
Transistor, Gehäusetyp: TO-92 BL, Polarität: PNP, Kollektor-Emitter Spannung: -45 V, Transitfrequenz: 100 MHz, Verlustleistung: 625 mW, Verstärkung: 250 ...600 , Verstärkung max.: 600, Verstärkung ...
Diotec
BC327-40
ab € 0,0489*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 100mA; 360mW; SOT23; SIPMOS™ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 240V Drainstrom: 100mA Leistung: 360mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 14Ω Montage: ...
Infineon
BSS131H6327XTSA1
ab € 0,0393*
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Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Schalttransistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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