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DIODES INC. FMMT618 TRANSISTOR, NPN, SOT-23 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 140 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 450 hFE Be...
Diodes
FMMT618
ab € 0,21042*
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N-Kanal IGBT FGA40N65SMD, 650 V 40 A, TO-3PN 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter- = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pinan...
ON Semiconductor
FGA40N65SMD
ab € 1,99*
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NTE ELECTRONICS NTE249 TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3, T (2 Angebote) 
Anzahl der Pins: 2 Pin(s) SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 V Bauform - Transistor: TO-3 Verlustleistung Pd: 150 W DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE DC-Kollektors...
NTE Electronics
NTE249
ab € 6,64*
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DIODES INC. FMMT634TA DARLINGTON-TRANSISTOR, SOT-23 (3 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 140 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 60000 hFE...
Diodes
FMMT634TA
ab € 0,1752*
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MDI75-12A3 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 90 A, Y4 M5 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Einfach Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = Y4 ...
IXYS
MDI75-12A3
ab € 31,53*
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NTE ELECTRONICS NTE264 DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V TO-220 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 V ...
NTE Electronics
NTE264
ab € 2,55*
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DIODES INC. FMMT619 TRANSISTOR, NPN, SOT-23 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 140 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 450 hFE Be...
Diodes
FMMT619
ab € 0,21818*
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MII100-12A3 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 135 A, Y4 M5 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Serie Dauer-Kollektorstrom max. = 135 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = Y4 M...
IXYS
MII100-12A3
ab € 63,01*
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NTE ELECTRONICS NTE280 BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3, Transistor (2 Angebote) 
Übergangsfrequenz ft: 5 MHz Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Wandlerpolarität: NPN Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 12 A Bauform - Transistor: TO-3 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) ...
NTE Electronics
NTE280
ab € 4,08*
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DIODES INC. FMMT720 TRANSISTOR, PNP, SOT-23 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 190 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 475 hFE Be...
Diodes
FMMT720
ab € 0,15962*
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N-Kanal IGBT FGA60N60UFDTU, 600 V 120 A, TO-3P 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = TO-3P Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pinan...
ON Semiconductor
FGA60N60UFDTU
ab € 5,06*
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NTE ELECTRONICS NTE281 BJT, PNP, 140V, 12A, TO-3, Transistor Po (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 100 W Übergangsfrequenz ft: 5 MHz Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-3 Betriebstemperatur, max.: 150 °C Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 V Produktpalette...
NTE Electronics
NTE281
ab € 7,74*
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DIODES INC. FMMT624TA TRANSISTOR, NPN, 125V, 1A, SOT23-3 (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 155 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 450 hFE B...
Diodes
FMMT624TA
ab € 0,153*
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MID200-12A4 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 270 A, Y3 DCB 5-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Einfach Dauer-Kollektorstrom max. = 270 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = Y3...
IXYS
MID200-12A4
ab € 82,10*
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NTE ELECTRONICS NTE285 BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -180V TO-3, Tra (2 Angebote) 
Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Verlustleistung Pd: 150 W Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Bauform - Transistor: TO-3 Übergangsfrequenz ft: 6 MHz Qualifizie...
NTE Electronics
NTE285
ab € 10,41*
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