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  Schalttransistor  (10.577 Angebote unter 17.400.329 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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onsemi IGBT / 64 A ±25V max., 1200 V, 3-Pin TO-264 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 64 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...
onsemi
FGL40N120ANDTU
ab € 8,96*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IGD10N65T6ARMA1 IGBT, 650V, 23A, 75W, TO-252 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...
Infineon
IGD10N65T6ARMA1
ab € 0,96575*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
FGD3040G2-F085
ab € 8,27*
pro 5 Stück
 
 Packung
IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT, 1200V, 58A, TO-247 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1 V Kontinuierlicher Kollek...
IXYS
IXA33IF1200HB
ab € 5,68*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
MJD122G
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IKD08N65ET6ARMA1 IGBT, 650V, 15A, 47W, TO-252 (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...
Infineon
IKD08N65ET6ARMA1
ab € 0,60588*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 10 A ±14V max., 450 V 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V2040D3ST
ab € 3,36*
pro 5 Stück
 
 Packung
IXYS SEMICONDUCTOR IXGF32N170 IGBT, ISOI4-PAC (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V Kontinuierlicher ...
IXYS
IXGF32N170
ab € 15,28*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pi...
onsemi
HGT1S10N120BNST
ab € 4,18*
pro 2 Stück
 
 Packung
INFINEON IR2106SPBF GATE-TREIBER, IGBT/MOSFET, -40 BIS 125°C (4 Angebote) 
Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Trei...
Infineon
IR2106SPBF
ab € 1,39*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 290 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
onsemi
FGH40N60SFDTU
ab € 3,74*
pro Stück
 
 Stück
JFET-Transistor, JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C (3 Angebote) 
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6 V Kanaltyp: p-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SO...
onsemi
MMBFJ175LT1G
ab € 0,13589*
pro Stück
 
 Packung
onsemi PNP Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:500, TO-247 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigura...
onsemi
TIP147G
ab € 2,53*
pro 2 Stück
 
 Packung
Infineon IR2135J (1 Angebot)
Infineon
IR2135JTRPBF
ab € 3,86*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = TO-247AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...
onsemi
FGH60N60SMD
ab € 4,89*
pro Stück
 
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