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  Leistungstransistor  (340 Angebote unter 16.869.896 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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Infineon SIPMOS SPD08P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Channel-Modus = En...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 6,81*
pro 10 Stück
 
 Packung
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 45 V, SMD, TO-261, BCP54-16,115 (4 Angebote) 
NPN-Leistungstransistor, BCP54-16,115, NEXPERIA NPN-Transistoren mittlerer Leistung in einem SOT223 (SC-73) Kunststoffgehäuse mit flachen Anschlüssen für die Oberflächenmontage (SMD). Features * Ho...
Nexperia
BCP54-16,115
ab € 0,08422*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, NPN, 160V, TO-126 (2 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=NTE373, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5...
NTE Electronics
NTE373
ab € 1,22*
pro Stück
 
 Stück
Infineon SIPMOS SPB80P06PGATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 340 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Channel-Modus = Enh...
Infineon
SPB80P06PGATMA1
ab € 3,81*
pro Stück
 
 Stück
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 325 V, THT, TO-126, BD410 (1 Angebot) 
NPN-Transistor, BD410, CDIL Dieser NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor wird zum Schalten hoher Leistungen verwendet.
CDIL
BD410
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, PNP, 160V, TO-126 (2 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=NTE374, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5...
NTE Electronics
NTE374
ab € 1,27*
pro Stück
 
 Stück
Infineon SIPMOS SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Channel-Modus = En...
Infineon
SPD09P06PLGBTMA1
ab € 19,02*
pro 50 Stück
 
 Packung
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 45 V, THT, TO-126, BD135-10 (1 Angebot) 
NPN-Transistor, BD135-10, CDIL Der BD135-10 NPN/PNP-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
CDIL
BD135-10
ab € 0,1139*
pro Stück
 
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Texas Instruments LM395T/NOPB THT, NPN Transistor 36 V / 1 A, TO-220 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 36 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 36 V B...
Texas Instruments
LM395T/NOPB
ab € 2,55*
pro Stück
 
 Stück
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, SMD, TO-261, BCP55,135 (1 Angebot) 
NPN-Leistungstransistor, BCP55,135, NEXPERIA NPN-Transistoren mittlerer Leistung in einem kleinen oberflächenmontierten SOT223 (SC-73)-Kunststoffgehäuse (SMD). Features * Hoher Strom * Hohe Verlust...
Nexperia
BCP55,135
ab € 118,64*
pro 1.000 Stück
 
 Packung
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 45 V, THT, TO-225AA, BD135G (4 Angebote) 
NPN-Transistor, BD135G, onsemi Dieser bipolare NPN-Leistungstransistor ist für den Einsatz in Audioverstärkern und -treibern mit komplementären oder quasi-komplementären Schaltungen vorgesehen. Fea...
onsemi
BD135G
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 45 V, THT, TO-126, BD135-16 (1 Angebot) 
NPN-Transistor, BD135-16, CDIL Der BD135-16 NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
CDIL
BD135-16
ab € 0,1138*
pro Stück
 
 Stück
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 60 V, THT, TO-126, BD137-16 (1 Angebot) 
NPN-Transistor, BD137-16, CDIL Der BD137-16 NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
CDIL
BD137-16
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 60 V, THT, TO-126, BD137-10 (1 Angebot) 
NPN-Transistor, BD137-10, CDIL Der NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor BD137-10 ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
CDIL
BD137-10
ab € 25,25*
pro 100 Stück
 
 Packung
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 60 V, THT, TO-225AA, BD137G (5 Angebote) 
NPN-Transistor, BD137G, onsemi Dieser bipolare NPN-Leistungstransistor ist für den Einsatz in Audioverstärkern und -treibern mit komplementären oder quasi-komplementären Schaltungen vorgesehen. Fea...
onsemi
BD137G
ab € 0,29153*
pro Stück
 
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