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  Leistungstransistor  (338 Angebote unter 17.401.614 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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5er Pack Transistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220 (1 Angebot) 
5er Pack Transistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220 Leistungstransistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220
INCHANGE
130288
ab € 6,29*
pro 5 Stück
 
 Paket
Leistungstransistor, NPN, 140V, TO-3P (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=2SD1047, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=...
k.A.
2SD1047
ab € 3,64*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
BSP170PH6327XTSA1
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
5er Pack Transistor BDX33C, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220 (1 Angebot) 
5er Pack Transistor BDX33C, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 70 W, TO220 Leistungstransistor BDX33C, NPN-Darlington, 100 V, 10 A, 70 W, TO220
k.A.
130362
ab € 6,26*
pro 5 Stück
 
 Paket
Leistungstransistor, NPN, 150V, TO-220 (4 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJE15030G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
onsemi
MJE15030G
ab € 0,55029*
pro Stück
 
 Stück
Infineon SIPMOS BSP315PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,17 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ Channel-Modus = Enhance...
Infineon
BSP315PH6327XTSA1
ab € 20,17*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor BDV64B, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247 (1 Angebot) 
Transistor BDV64B, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247 Leistungstransistor BDV64B, PNP-Darlington, 100 V, 10 A, 125 W, TO247
k.A.
130135
ab € 5,82*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, NPN, 250V, TO-220 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=TIP47, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 ...
k.A.
TIP47
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Infineon SIPMOS BSP613PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,9 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
Infineon
BSP613PH6327XTSA1
ab € 11,81*
pro 20 Stück
 
 Packung
Transistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247 Leistungstransistor TIP147, PNP-Darl., 100V, 10A, 125W, TO247
ST Microelectronics
131475
ab € 4,16*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, NPN, 250V, TO-247 (1 Angebot) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=BUTW92, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=7 ...
k.A.
BUTW92
ab € 12,84*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
SPD30P06PGBTMA1
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 (1 Angebot) 
Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247 Leistungstransistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
ST Microelectronics
131476
ab € 2,60*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, NPN, 250V, TO-264 (4 Angebote) 
Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=MJL21194G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo...
onsemi
MJL21194G
ab € 2,31*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
BSP322PH6327XTSA1
ab € 0,31*
pro Stück
 
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