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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF


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Produktinformationen
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF
Artikel-Nr.:
     4503-24S3296
Hersteller:
     COMSET Semiconductors
Herst.-Nr.:
     IRF830PBF
EAN/GTIN:
     4099879033376
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, COMSET
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Gehäuse:
TO-220
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung VA (AC):
74 VA
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.002372 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Transistor, feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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