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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (22.506 Angebote unter 14.901.649 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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MOSFET Treiber DRDC3105F-7, 1-Kanal 500mA SOT-23 3-Pin, 3 → 5 V (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung min. = 3 V Arbeitsspannnung max. = 5 V Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 500mA Anzahl der Ausgänge = 1 Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Breite = 1...
Diodes
DRDC3105F-7
ab € 0,08*
pro Stück
 
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INFINEON AUIRF1324WL. N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2 (1 Angebot) 
SVHC: To Be Advised Wandlerpolarität: N Channel Dauer-Drainstrom Id: 240 A Bauform - Transistor: TO-262 Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Schwellenspannung Vgs: 2 V Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Verlust...
Infineon
AUIRF1324WL.
ab € 2,33*
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Driver; 3-Phasen Motorcontroller; MOSFET; PWM; 1A; -0,7÷7V; DFN10 (2 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: DFN10 Montage: SMD Anwendung: Motoren; Lüfter Interface: PWM Integrierten Schaltkreises-Art: 3-Phasen Motorcontroller Ausgangs-Art: half bridge driver x3 S...
Microchip Technology
MTD6505T-E/NA
ab € 0,91*
pro Stück
 
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MOSFET N, 500 V 14 A 180 W TO-247 (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-247 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 180 W
NTE Electronics
NTE2394
ab € 10,21*
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CLARE LCC120 SSR,OPTO MOSFET, 250V, 0.17A (1 Angebot) 
Durchlassstrom If: 10 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPDT Lastspannung, max.: 250 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswiderstand, max.: 20 ohm Relaisanschlüsse: Durchsteckm...
Clare
LCC120
ab € 3,91*
pro Stück
 
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CELDUC SCM030200 MOSFET-RELAIS, 30A, 200VDC, PANEL (2 Angebote) 
Durchlassstrom If: 42 mA Isolationsspannung: 4 kV Kontaktkonfiguration: - Lastspannung, max.: 200 VDC SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Durchlasswiderstand, max.: 0.164 ohm Relaisanschlüsse: Schraubbar L...
Celduc
SCM030200
ab € 115,65*
pro Stück
 
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
SVHC: To Be Advised Drain-Source-Spannung Vds: 30 V Wandlerpolarität: N Channel Verlustleistung Pd: 290 W MSL: - Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 V Produktpalette: - Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024...
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,89*
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Driver; 3-Phasen Motorcontroller; MOSFET; PSM, PWM; 1,5A; 2÷14VDC (2 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Ausgangs-Art: gate driver Gehäuse: DFN8 Montage: SMD Integrierten Schaltkreises-Art: 3-Phasen Motorcontroller Sicherung: Überlastung; thermisch Technologie: MOSFET ...
Microchip Technology
MCP8063-E/MD
ab € 1,11478*
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MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-3P Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
ab € 16,74*
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BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G MOSFET, HF, HEMT, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 120 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Broadcom
ATF-54143-TR1G
ab € 1,65*
pro Stück
 
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Celduc SCM0100200 Halbleiterrelais, 4,5 → 32 V dc Spule, MOSFET-Ausgang, 0 mA - 100 A (2 Angebote) 
Laststrom min. = 0 mA Laststrom max. = 100 A Montage Typ = Chassismontage Lastspannung min. = 2 V dc Lastspannung max. = 200 V Steuerspannung min. = 4,5 V Steuerspannung max. = 32V Ausgangsschaltun...
Celduc
SCM0100200
ab € 144,69*
pro Stück
 
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INFINEON IRFR48ZPBF. MOSFET, Leaded Process Compatible:Yes, P (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-252 SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Dauer-Drainstrom Id: 42 A Wandlerpolarität: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Drain-Sourc...
Infineon
IRFR48ZPBF.
ab € 0,60671*
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Driver; Eingänge AND+inv; MOSFET Torsteuerung; 1,2A; Kanäle:4 (4 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: DIP14 Montage: THT Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Eingänge AND+inv Ausgangs-Art: nicht reversi...
Microchip Technology
TC4469CPD
ab € 2,46*
pro Stück
 
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MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+175 °C Gehäusetyp: TO-220 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
ab € 6,55*
pro Stück
 
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DIODES INC. BS170P MOSFET, N-KANAL, E-LINE (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 3 V Verlustleistung Pd: 625 mW Dauer-Drainstrom Id: 270 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: E-Line SVHC: No SVHC (27-Ju...
Diodes
BS170P
ab € 0,31518*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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