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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (18.487 Angebote unter 12.931.376 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 (4 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 350 mW
Fairchild
FDV301N
ab € 0,0346*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; 400mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistortyp: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200mA Leistung: 400mW Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Montage: THT ...
ON Semiconductor
2N7000TA
ab € 0,0516*
pro Stück
 
 Stück
Halbleiterrelais einphasig 3.5...32 VDC (4 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 57.3 x 44.5 x 23.3 mm, Ausgangsspannung: 1...400 VDC, Eingangsspannung DC: 3.5...32 VDC, Temperaturbereich: -40...+100 °C, Betriebsspannungsart: 1...
Crydom
D4D12
ab € 65,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; 225mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistortyp: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 115mA Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Widerstand im Leitungszustand: 3.75Ω Montage: SMD Hersteller: LUGUANG ELE...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7002
ab € 0,0173*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1,3A; 500mW; SuperSOT-3 (1 Angebot) 
Transistortyp: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -20V Drainstrom: -1.3A Leistung: 500mW Gehäuse: SuperSOT-3 Gate-Source Spannung: ±8V Widerstand im Leitungszustand: 320mΩ Mont...
ON Semiconductor
FDN336P
ab € 0,0852*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SUD50P06-15-GE3 MOSFET, P-KANAL, -60V, -50A, TO-252-3 (1 Angebot) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -60V, -50A, TO-252-3 RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: -3 V Leistungsverlust Pd: 2.5 W Dauerstrom, Id: -50 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - u...
Vishay
SUD50P06-15-GE3
ab € 0,98658*
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Schneider Electric Halbleiterrelais DIN-Schienen, DC, 1-poliger Schließer, 50 V dc / 15 A, MOSFET-Ausgang (1 Angebot) 
SSR, zero switching, SPST-NO, 15 A - Halbleiterrelais und Zubehör - Halbleiterrelais
Schneider Electric
861SSR115-DD
ab € 24,86*
pro Stück
 
 Stück
Halbleiterrelais einphasig 3...10 VDC (7 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 43.1 x 7.6 x 25.4 mm, Ausgangsspannung: 0...60 VDC, Eingangsspannung: 3...10 VDC, Temperaturbereich: -30...+80 °C, Anschlussart: THT, Schaltart: g...
Crydom
CMX60D10
ab € 24,50*
pro Stück
 
 Stück
PhotoMOS Relais AQY 60 VAC/DC 2000 mA (4 Angebote) 
PhotoMOS Relais AQY, Temperaturbereich: -40...+85 °C, Hersteller Art. Nr.: AQY272J, Kontakte: 1 Schliesser (NO), Durchgangswiderstand: 0.11 Ω, LED Ansprechstrom: 1 mA, LED Maximalstrom: 50 mA, LED ...
Panasonic
AQY272
ab € 7,50*
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,7A; 4,24W; DPAK (2 Angebote) 
Transistortyp: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -3.7A Leistung: 4.24W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.285Ω Montage...
Diodes
ZXMP10A16KTC
ab € 0,40*
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Pioneer AVH X7800BT (1 Angebot) 
Pioneer AVH-X7800BT - DVD Receiver - Anzeige - 17.8 cm (7 Zoll) - Touchscreen - in-dash-Einheit - Voll-DIN - 50 Watt x 4
Pioneer Electronics
AVH-X7800BT
ab € 374,67*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRF540NPBF MOSFET, N-KANAL, 100V, 33A, TO-220 (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 100V, 33A, TO-220 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 4 V Leistungsverlust Pd: 130 W Dauerstrom, Id: 33 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: - Anzahl der Pin...
Infineon
IRF540NPBF
ab € 0,33167*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; C3M™, SiC (3 Angebote) 
Transistortyp: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 35A Leistung: 113W Gehäuse: D2PAK-7 Widerstand im Leitungszustand: 78mΩ Montage: SMD Gate-Ladung: 30nC Techno...
Wolfspeed
C3M0065090J
ab € 8,56*
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MOSFET N, 12 V 11 A 0.69 W UDFN2020-6 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: UDFN2020-6, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.69 W
Diodes
DMN1019UFDE-7
ab € 0,123*
pro Stück
 
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
Kemo
S106
ab € 4,66*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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