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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (20.638 Angebote unter 13.194.443 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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N-Kanal MOSFET FDN337N, 30 V 2,2 A, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimie...
Fairchild
FDN337N
ab € 265,74*
pro 3.000 Stück
 
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MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Marking: 337, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 500 mW
Fairchild
FDN337N
ab € 0,18*
pro Stück
 
 Stück
Halbleiterrelais einphasig 3.5...32 VDC (6 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 57.3 x 44.5 x 23.3 mm, Ausgangsspannung: 1...100 VDC, Eingangsspannung DC: 3.5...32 VDC, Temperaturbereich: -40...+100 °C, Betriebsspannungsart: 1...
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 Stück
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,7A; 4,24W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -3.7A Leistung: 4.24W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.285Ω Montag...
Diodes
ZXMP10A16KTC
ab € 0,40*
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 Stück
MOSFET Fairchild Semiconductor FQP3P50 1 P-Kanal 85 W TO-220-3 (2 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55...
Fairchild
FQP3P50
ab € 2,82*
pro Stück
 
 Stück
P-Kanal MOSFET FQP3P50, 500 V 2,7 A, TO-220AB 3-Pin (1 Angebot) 
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (L...
Fairchild
FQP3P50
ab € 5,23*
pro 5 Stück
 
 Paket
MOSFET N, 60 V 0.19 A 265 mW SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Verlustleistung: 265 mW
NXP
NX7002AK
ab € 0,1152*
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MOSFET N, 200 V 0.6 A 6.4 W HEXDIP (4 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: HEXDIP, Polarität: N, Verlustleistung: 6.4 W
Vishay
IRFD120PBF
ab € 0,25347*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; 225mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 115mA Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Widerstand im Leitungszustand: 3.75Ω Montage: SMD Hersteller: LUGUANG EL...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7002
ab € 0,0162*
pro Stück
 
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MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3 (2 Angebote) 
Power MOSFET, P-Kanal Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (mi...
Infineon
IRF9Z34N
ab € 0,76*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 100 V 0.17 A 0.36 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.36 W
Diodes
BSS123Q-13
ab € 0,1655*
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Pioneer AVH X7800BT (1 Angebot) 
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MOSFET Fairchild Semiconductor 2N7000 1 N-Kanal 400 mW TO-92 (4 Angebote) 
MOSFETs ( ≤1 W ) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (...
Fairchild
2N7000
ab € 0,0929*
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Elektronik-Schalt-Einsatz (6 Angebote) 
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
Kemo
S106
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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