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  MOSFET-Transistor bei Mercateo online kaufen (23.024 Angebote unter 13.388.094 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G MOSFET, HF, HEMT, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 120 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemper...
Broadcom
ATF-54143-TR1G
ab € 1,68*
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 Stück
CLARE LCA110 RELAIS, MOSFET (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Durchlassstrom If: 2 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPST-NO Lastspannung, max.: 350 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswider...
Clare
LCA110
ab € 1,4507*
pro Stück
 
 Stück
CLARE LCC120 SSR,OPTO MOSFET, 250V, 0.17A (1 Angebot) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Durchlassstrom If: 10 mA Isolationsspannung: 3.75 kV Kontaktkonfiguration: SPDT Lastspannung, max.: 250 V SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Durchlasswiderst...
Clare
LCC120
ab € 3,78*
pro Stück
 
 Stück
DIODES Incorporated 2N7002W-7-F MOSFET 1 N-Kanal 200mW SOT-323 (3 Angebote) 
Keine Beschreibung vorhanden
Diodes
2N7002W-7-F
ab € 0,04079*
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 Stück
MOSFET N, 500 V 14 A 180 W TO-247 (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-247 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 180 W
NTE Electronics
NTE2394
ab € 10,31*
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 Stück
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+175 °C Gehäusetyp: TO-220 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
ab € 6,39*
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 Stück
Mosfet relais (1 Angebot) 
Mosfet relais Temperaturbereich: -40 ... +85 °C Gehäuse: SMD / DIP-6 Kontakte: 1 Schliesser (NO) Ausgangs AUS Zeit: 3 ms Ausgangs EIN Zeit: 3 ms Durchgangswiderstand: 23 Ohm LED Ansprechstrom: 2 mA...
IXYS
LCA110S
ab € 1,84*
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 Stück
Driver; 3-Phasen Motorcontroller; MOSFET; PSM, PWM; 1,5A; 2÷14VDC (2 Angebote) 
<b>Hersteller</b>: MICROCHIP TECHNOLOGY<br /><b>Ausgangs-Art</b>: gate driver<br /><b>Gehäuse</b>: DFN8<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: 3-Phasen Motorcontroller...
Microchip Technology
MCP8063-E/MD
ab € 1,07598*
pro Stück
 
 Stück
Driver; 3-Phasen Motorcontroller; MOSFET; PWM; 1A; -0,7÷7V; DFN10 (3 Angebote) 
<b>Hersteller</b>: MICROCHIP TECHNOLOGY<br /><b>Gehäuse</b>: DFN10<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Anwendung</b>: Motoren; Lüfter<br /><b>Interface</b>: PWM<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art<...
Microchip Technology
MTD6505T-E/NA
ab € 0,77*
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MICROCHIP MTD6508-ADJE/JQ MOTORTREIBER, 3PH-BLDC, 0.75A, UQFN-16 (2 Angebote) 
Ausgangsstrom: 750 mA Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor (DC) Anzahl derᅠAusg...
Microchip Technology
MTD6508-ADJE/JQ
ab € 0,57299*
pro Stück
 
 Stück
Driver; 3-phasen; Halbbrücke, MOSFET Torsteuerung; SO20 (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: Halbbrücke; MOSFET Torsteuerung<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Gehäuse</b>: SO20<br /><b>Eigenschafte i...
ON Semiconductor
FAN7888MX
ab € 1,23*
pro Stück
 
 Stück
Driver; ballast controller, half-bridge, MOSFET gate driver (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: ballast controller; Halbbrücke; MOSFET Torsteuerung<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Gehäuse</b>: SOP8<br...
ON Semiconductor
FAN7387MX
ab € 0,59*
pro Stück
 
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INFINEON 2EDL05N06PFXUMA1 MOSFET-GATE-TREIBER, HALBBRÜCKE, DSO-8 (2 Angebote) 
Ausgabeverzögerung: 300 ns Spitzenausgangsstrom: 500 mA Eingabeverzögerung: 310 ns Betriebstemperatur, max.: 95 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC...
Infineon
2EDL05N06PFXUMA1
ab € 0,47128*
pro Stück
 
 Stück
Driver; bootstrap; Torsteuerung IGBT, MOSFET Torsteuerung; 600mW (1 Angebot) 
<b>Hersteller</b>: INFINEON TECHNOLOGIES<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: Torsteuerung IGBT; MOSFET Torsteuerung<br /><b>Gehäuse</b>: TSSOP28<br /><b>Montage</b>: SMD<br /><b>Verpackungs...
Infineon
6EDL04N02PR
ab € 1,46*
pro Stück
 
 Stück
Driver; Eingänge AND+inv; MOSFET Torsteuerung; 1,2A; Kanäle:4 (3 Angebote) 
<b>Hersteller</b>: MICROCHIP TECHNOLOGY<br /><b>Gehäuse</b>: DIP14<br /><b>Montage</b>: THT<br /><b>Integrierten Schaltkreises-Art</b>: MOSFET Torsteuerung<br /><b>Eigenschafte integrierter Schaltk...
Microchip Technology
TC4469CPD
ab € 2,531*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET-Transistor
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET-Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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