Transistor  (23 575 Angebote unter 18 383 722 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 510 kW Konfiguration = Serie Montage-Typ = Schraubmontage Channel-Typ =...

Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100 mA Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 mA DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 hFE Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pi...

Abbildung kann abweichen. IGBT, IXYP24N100C4, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-...

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1250 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 V Betriebstemperatur, ...

Abbildung kann abweichen. IGBT, IXYR100N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate...

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Betriebstemperatur max. = +150 °C IGBTs...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Bet...

Abbildung kann abweichen. IGBT, IXA70I1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch h...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 7 A Kollektor-Emitter-Spannung = 70 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 40 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transistor...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Bet...

Abbildung kann abweichen. IGBT, IXGP12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leit...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Bet...

Abbildung kann abweichen. IGBT, IXYH50N120C3, Littelfuse Hochgeschwindigkeits-IGBT für das Schalten mit 20-50 kHz, optimiert für niedrige Schaltverluste bei hoher Leistungsdichte und geringem Gate-...