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"Transistor"

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Chopper IGBT Switch, 1200 V, 84 A, V1-A-Pack, Littelfuse MIXA80R1200VA (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT Modul, MIXA80R1200VA, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ...
Littelfuse
MIXA80R1200VA
€ 24,43*
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 Stück
IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200PB IGBT, 1200V, 20A, TO-220 (5 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1 V Kontinuierlicher Kollek...
IXYS
IXA12IF1200PB
€ 5,56*
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 Stück
Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IGW75N60TFKSA1
€ 7,09*
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 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTC123Y Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC123YETL
€ 0,1575*
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF640-PBF (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
IRF640-PBF
€ 2,47*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1.2kV, 20A, TO-247 (3 Angebote) 
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXA12IF1200HB, Betriebstemperatur, max.=125 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=500 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigun...
IXYS
IXA12IF1200HB
€ 5,08*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKP15N60TXKSA1
€ 0,89*
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 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach PNP Betrie...
onsemi
MMUN2114LT1G
€ 0,02663*
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, BUZ71-T (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 O...
COMSET Semiconductors
BUZ71-T
€ 3,24*
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IGBT, 1.2kV, 30A, TO-247AD (3 Angebote) 
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXGH30N120B3D1, Alternative (Alias)=192641, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 k...
IXYS
IXGH30N120B3D1
€ 10,78*
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Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 326 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW25N120H3FKSA1
€ 6,61*
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Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, SOT-363 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...
onsemi
BC847BPDW1T1G.
€ 0,2248*
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 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31 (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,...
COMSET Semiconductors
BUZ31
€ 3,17*
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DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
€ 0,473*
pro Stück
 
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143T Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NP...
ROHM Semiconductor
DTC143TUAT106
€ 0,37345*
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