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"Transistor"

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COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31 (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220
COMSET Semiconductors
BUZ31
ab € 1,28*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: E...
onsemi
MUN5211T1G
ab € 0,06134*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 326 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW25N120H3FKSA1
ab € 7,28*
pro 2 Stück
 
 Packung
ONSEMI 2N3906TF TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92, Transistor (1 Angebot) 
Verlustleistung: 625 mW Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited Qualifikation: - Übergangsfrequenz: 250 MHz DC-Stromverstärkung (...
onsemi
2N3906TF
ab € 0,06221*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ12-T
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTC123EETL
ab € 0,04231*
pro Stück
 
 Packungen
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V3040S3ST
ab € 6,91*
pro 5 Stück
 
 Packung
ONSEMI BC32725TA BIPOLAR TRANSISTOR, Transistor Polarity: (4 Angebote) 
MSL: MSL 1 - Unlimited Betriebstemperatur, max.: 150 °C Verlustleistung: 625 mW Übergangsfrequenz: 100 MHz Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Through Hole Produktpalette: - Bauform - Tran...
onsemi
BC32725TA
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 25A 160W ECONO25-24 FP25R12KT4B15BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...
Infineon
FP25R12KT4B15BOSA1
ab € 74,36*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach PNP Betrie...
onsemi
MMUN2114LT1G
ab € 0,01078*
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 Packungen
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IGW60T120FKSA1
ab € 12,36*
pro 2 Stück
 
 Packung
ONSEMI FDD6612A.. MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO, POW (1 Angebot) 
Transistormontage: Surface Mount Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Qualifikation: - Dauer-Drainstrom Id: 30 A Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kanaltyp: N...
onsemi
FDD6612A..
ab € 0,39412*
pro Stück
 
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Gate Treiber IC, Transistor, PDIP-16, SN75468N (4 Angebote) 
Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...
Texas Instruments
SN75468N
ab € 0,50*
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 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTC123Y Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC123YETL
ab € 0,05687*
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 Packungen
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKW50N60TFKSA1
ab € 3,20*
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