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onsemi IGBT / 10 A ±14V max., 450 V 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V2040D3ST
ab € 1 688,50*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 300 A ±20V max., 1200 V 1550 W, 5-Pin 62MM-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1550 W Gehäusegröße = 62MM-Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
BSM200GA120DN2HOSA1
ab € 1 685,77*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
ab € 1 675,782*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 520 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 520 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Gehäusegröße = AG-62MM-1 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ ...
Infineon
FF450R12KE4HOSA1
ab € 1 664,71*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 3-Pin 62MM-Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Gehäusegröße = 62MM-Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FF450R12KT4HOSA1
ab € 1 650,49*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT ±20V max., 650 V AG-ECONOD-411 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = AG-ECONOD-411
Infineon
FF600R07ME4B11BPSA1
ab € 1 639,01*
pro 10 Stück
 
 Paket
Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1200 V 5,1 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
ab € 1 627,46001*
pro 3 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 600 V 335 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 335 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FP100R06KE3BOSA1
ab € 1 620,23*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 700 W AG-ECONO3-4 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 700 W Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = Tafelmontage Chann...
Infineon
FS150R12KE3BOSA1
ab € 1 606,05*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
ab € 1 606,032*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
ab € 1 600,014*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7
Infineon
FP50R12KE3BOSA1
ab € 1 594,58*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 700 A ±20V max., 1200 V 3,9 kW AG-62MM-2 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 700 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 3,9 kW Gehäusegröße = AG-62MM-2 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ ...
Infineon
FZ600R12KS4HOSA1
ab € 1 573,93*
pro 10 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 80 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30.0V Anzahl an Transistoren = 30 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
AFGHL40T65SQD
ab € 1 554,3225*
pro 450 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 105 A ±20V max., 1200 V 355 W AG-ECONO3-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 355 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-3 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FP75R12KE3BOSA1
ab € 1 546,23*
pro 10 Stück
 
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