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Infineon IGBT ±20V max., 650 V AG-ECONOD-411


Menge:  Paket  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2580850
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF600R07ME4B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = AG-ECONOD-411
Weitere Informationen:
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Gehäusegröße:
AG-ECONOD-411
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2580850, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FF600R07ME4B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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