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ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
ab € 1 541,004*
pro 600 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT-Modul DIP38 (1 Angebot) 
Gehäusegröße = DIP38 Montage-Typ = Schraubmontage Das on Semiconductor NFVA25012NP2T ist ein Advanced Auto IPM-Modul, das eine voll ausgestattete, leistungsstarke Wechselrichterausgangsstufe für Hy...
onsemi
NFVA25012NP2T
ab € 1 527,37008*
pro 24 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 355 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
ab € 1 526,70*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20.0V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
ab € 1 522,3704*
pro 240 Stück
 
 Packung
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
ab € 1 504,28*
pro 800 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 111 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
ab € 1 477,392*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = EconoPACK 3 Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
Infineon
FS150R12KT4BOSA1
ab € 1 476,43*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 515 W AG-ECONO3-4 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 515 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-4 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FS100R12KT4GBOSA1
ab € 1 475,63*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
ab € 1 464,024*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA ±20V max., 2300 V 2700 kW PRIME3+ (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 2300 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2700 kW Gehäusegröße = PRIME3+ Montage-Typ = Schraubmontage
Infineon
FF1800R23IE7PBPSA1
ab € 1 461,14*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 600 V 1,69 kW 122 x 62 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,69 kW Gehäusegröße = 122 x 62 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM450DX-13T#300G
ab € 1 454,77*
pro 10 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT-Modul / 61 A ±20V max. Dual, 1200 V 186 W Gehäuse 180AJ (bleifrei und halogenfrei) Lötstifte (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 61 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 186 W Gehäusegröße = Gehäuse 180AJ (bleifrei und halogenfrei) Lötstifte
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
ab € 1 453,17*
pro 24 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
ab € 1 452,9825*
pro 450 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 200 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 20-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Kon...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
ab € 1 449,42*
pro 6 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 300 A 20V max. Dual, 600 V 2,21 kW 94 x 48 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 2,21 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM300DY-13T#300G
ab € 1 447,61*
pro 10 Stück
 
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.