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Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2286508
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIKW50N65RF5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20.0V
Verlustleistung max.:
250 W
Gehäusegröße:
PG-TO247-3
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2286508, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIKW50N65RF5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Die Konditionen im Überblick1
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