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ECH 81 = 6 AJ 8 = 6I1P Elektronenröhre Triode-Heptode 100 V, 160V 13.5 mA, 11mA Polzahl (num): 9 Sockel: Noval Inhalt 1St. (3 Angebote)

ECH 81 = 6 AJ 8 = 6I1P Elektronenröhre Triode-Heptode 100 V, 160V 13.5 mA, 11mA Polzahl (num): 9 Sockel: Noval Inhalt 1St. Obwohl elektronische Röhren, Röhrenfassungen und Zubehör seit ca. 35 Jahre...

k.A.

ECH 81 = 6 AJ 8 = 6I1P

ab € 11,32*
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onsemi ECH8661-TL-H N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH (1 Angebot)

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A; 7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = ECH Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ, 39 mΩ Channel-Modus ...

onsemi

ECH8661-TL-H

ab € 1.093,23*
pro 3.000 Stück

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onsemi ECH8661-TL-H N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH (1 Angebot)

onsemi

ECH8661-TL-H

ab € 17,49*
pro 25 Stück

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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1,4W; ECH8 (2 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: ECH8 Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain Drain-Source Spannung: 24V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2...

onsemi

ECH8695R-TL-W

ab € 0,23019*
pro Stück

92%

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementäres Paar; 60/-60V (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: ECH8 Drain-Source Spannung: 60/-60V Drainstrom: 4,7/-3,5A Widerstand im Leitungszustand: 55/94mΩ Transistor-Typ: N/P-MOSFET Verlustleistung: 1,5W Polarisier...

onsemi

ECH8690-TL-H

ab € 0,74*
pro Stück

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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 35V; 4,5A; Idm: 30A; 1,5W; ECH8 (1 Angebot)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: ECH8 Drain-Source Spannung: 35V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 59mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,5W Polarisierung: unipol...

onsemi

ECH8657-TL-H

ab € 0,251*
pro Stück

(ech81 (6 Angebote unter 17.399.865 Artikeln)