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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 35V; 4,5A; Idm: 30A; 1,5W; ECH8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-ECH8657-TL-H
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     ECH8657-TL-H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: ECH8
Drain-Source Spannung: 35V
Drainstrom: 4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 59mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 1,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 4,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 30A
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