bipolartransistor  (5 686 Angebote unter 17 379 999 Artikeln)

Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 900A Polarisierung: unipolar Elektrische Montage: schraubbar Me...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Verlustleistung: 52...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω Verlustleistung: 46...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Verlustleistung: 59...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Verlustleistung: 96...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Verlustleistung: 59...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 51A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Verlustleistung: 6...

Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = P Pinanzahl =...

Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 111 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-AI Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...

GYS 071551 SCHWEISS- UND SCHNEIDGERÄTE GYSARC 100 v2 Das GYSARC 100 ist ein einphasiges, Inverter-basiertes E-Hand (MMA)-Schweißgerät. Ausgerüstet mit der neuesten Bipolartransistor (IGBT)-Technolo...

Dieses Lehrbuch bietet eine Einführung in die Hochfrequenztechnik, insbesondere in die Entwurfs- und Berechnungsmethoden der HF-Schaltungstechnik. Zunächst werden die passiven und aktiven Mehrtore ...

1 Grundbegriffe der Elektrotechnik.- 1.1 Gleichstromquellen.- 1.2 Das Ohmsche Gesetz und der elektrische Widerstand.- 1.3 Elektrische Netzwerke -- die Kirchhoff Regeln.- 1.4 Ersatzschaltbilder für ...

1 Einführung.- 1.1 Geschichte.- 1.2 Mathematische Methoden in SPICE.- 1.3 Die Programmstruktur von SPICE.- 1.4 Definitionen und Vereinbarungen.- 2 Schaltelemente.- 2.1 Numerische Werte.- 2.2 Passiv...

1. Darstellung von Signalen im Frequenz- und Zeitbereich.- 1.1. Grundgesetze des elektrischen Stromkreises.- 1.2. Komplexe Darstellung elektrischer Größen.- 1.3. Signale und Spektren.- 2. Schaltung...