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Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1...
Infineon
BFS483H6327XTSA1
ab € 0,19915*
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100er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut (3 Angebote) 
100er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 N...
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BCX70GE6327
ab € 0,049*
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Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; Tube (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Rückspannung max.: 650V Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 10A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impu...
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Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; SMD; 600V; 6A; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 2,1V Vorwärtsstrom: 6A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impu...
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ab € 1,82*
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Infineon 1 IRFR220NTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 600 mO Gate-Schwellenspann...
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HF-Verstärker BGA7M1N6E6327XTSA1 Rauscharmer Verstärker, 13 dB 1-Kanal 2200 MHz, 6-Pin TSNP-6-2 (1 Angebot) 
Verstärker-Typ = Rauscharmer Verstärker Leistungsverstärkung = 13 dB Rauschfaktor = 0.6dB Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Arbeitsfrequenz max. = 2200 MHz Gehäusegröße = TSNP-6-2 Pinanzahl = 6
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BGA7M1N6E6327XTSA1
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10er Pack Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB (3 Angebote) 
10er Pack Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB Infineon Technologies IRF3709ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 79W TO-220AB Typ: IRF3709ZPBF Gehäuse: TO-220AB Hersteller: Infineon Tec...
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Infineon IDP08E65D2 (2 Angebote)
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IDP08E65D2XKSA1
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Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB (2 Angebote) 
Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB MOSFET (HEXFET /FETKY) Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlosse...
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Infineon TT240N18SOF (1 Angebot) 
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INFINEON IDH12G65C6XKSA1 SIC-SCHOTTKY-DIODE, 650V, 27A, TO-220 (3 Angebote) 
Diodenkonfiguration: Einfach Produktpalette: CoolSiC 6G 650V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 V Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27 A Diodenmontage: Durch...
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5er Pack Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK (3 Angebote) 
5er Pack Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200W D2PAK Kategorie: Gateway Serie: Eltako Schutzart: IP20 Stromversorgung: netzbetrieben Betriebsspannung: 230 V Montageart: Hutschiene...
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Diode: Gleichrichterdiode Schottky; SiC; SMD; 600V; 9A; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 9A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impu...
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Infineon 1 IRFS4229TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 48 mO Anzahl der Element...
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5er Pack Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-263-3 (3 Angebote) 
5er Pack Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 N-Kanal 160W TO-263-3 Typ: IRF3710Z Gehäuse: TO-263-3 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF Ausführung: N-Kanal I(d): 59 A Leistung (ma...
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