infineon  (13.547 Angebote unter 17.408.297 Artikeln)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB50AT-1 Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,28V Vorwärtsstrom: 330A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 200mA Strom i...

Bluetooth-Version = Bluetooth 5.1 Ausgangsleistung max. = 3dBm Empfindlichkeit des Empfängers = -93dBm Unterstützte Busschnittstellen = GPIO, I2C, SPI

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB60-1 Rückspannung max.: 3,6kV Vorwärtsspannung max.: 0,84V Vorwärtsstrom: 435A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Strom im max. Impuls: 14,5...

Spitzen-Durchlassstrom Mittelwert = 208A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1600V Montage-Typ = Tafelmontage Gehäusegröße = ISOPACK Pinanzahl = 6 Konfiguration = Single Stoßstrom-Grenzwert nichtper...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 281 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = TDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Bewährtes, einsatzbereites Hardwaredesign Der Dual-Modus-Betrieb macht mehrere Module überflüssig Kostenoptimiert für Anwendungen ohne Platzbeschränkungen Nichtflüchtiger Speicher für autarken Betr...

Regler-Funktion = Abwärts-/Aufwärtsregler Ausgangsstrom max. = 1.5µA Eingangsspannung max. = 40 V

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB501-1 Rückspannung max.: 1,8kV Vorwärtsspannung max.: 0,75V Vorwärtsstrom: 600A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls: 22kA E...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB50-1 Rückspannung max.: 2,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 215A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 200mA Strom im m...