Junktion-FET  (196 Angebote unter 18 356 699 Artikeln)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Spannungsanstieg: 3.5 V/µs Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Versorgungsspannung: 7V bis 36V Anstiegsrate:...

Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = SMV Pinanzahl = 5

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 3.5 V/µs Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Versorgungsspannung: 7V bis 36V Anstiegsrate: 3.5 V/µs Bandbrei...

Verstärker-Typ = Low Power JFET Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Stromversorgungs-Typ = Dual Anzahl der Kanäle pro Chip = 4 Pinanzahl = 14 Pin Versorgungsspannung einzeln typ. = 36 V Verstärku...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Versorgungsspannung: 10V bis 36V Anstiegsrate: 12 V/µs Eingangsruhestrom:...

Verstärker-Typ = Low Power JFET Montage-Typ = THT Gehäusegröße = PDIP Stromversorgungs-Typ = Dual Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Pinanzahl = 8 Pin Versorgungsspannung einzeln typ. = >36 V Verstärku...

Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = SMV Pinanzahl = 5

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 3.5 V/µs Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Versorgungsspannung: 7V bis 36V Anstiegsrate: 3.5 V/µs Bandbrei...

Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = S-MINI Pinanzahl = 3

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 20mA Widerstand im Leitungszustand: 40Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: NTE Electron...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: NTE Electron...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 30µA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: NTE Electron...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 900µA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannu...