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Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 0,46Ω Verlustleistung: 460W...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP4 Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 207A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Verlustleistung: 780W Elektr...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: DACO Semicon...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Verlustleis...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: SP6C Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Verlustleistung: 1,25kW Ele...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Verlustleistung: 960W...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 672mΩ Verlustleistung: 543W El...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: DACO Semicon...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω Verlustleistung: 54...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Ele...

Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 76A Widerstand im Leitungszus...