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Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Verlustleistung: 320...

Hersteller: WIZNET Montage: THT;SMD Versorgungsspannung: 3,3V DC Schnittstelle: UART Datenübertragungsgeschwindigkeit: 2Mbps Betriebsmodi: Station (Client);AP Abmessungen: 24x16x3mm Kommunikationsm...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleistung: 378W Ele...

Hersteller: VISHAY Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 1,93mΩ Verlustleistung: 909W Polarisie...

Hersteller: AUREL Versorgungsspannung: 3,3V DC Frequenz: 2,405...2,48GHz Anzahl Kanäle: 16 Datenübertragungsgeschwindigkeit: 250kbps Abmessungen: 35x25mm Kommunikationsmodul-Typ: ZigBee Stromaufnah...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Verlustleistung: 54...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 39A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 290W Ele...

Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227H Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 400A Polarisierung: unipolar Elektrische Montage: schraubbar M...

Teltonika TAP200 - Accesspoint - 1GbE - Wi-Fi 5 - 2.4 GHz, 5 GHz - mit PoE-Injektor - für P/N: PR2LA15B, PR322EU7

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustleistung: 52...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleistung: 543W Ele...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Verlustleistung: 462W...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Verlustleistung: 300W El...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Verlustleistung: 96...