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Diode: TVS; 600W; 18V; Unidirektional; CE (SC110B) (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: CE (SC110B) Rückspannung max.: 13V Struktur des Halbleiters: Unidirektional Durchbruchspannung: 18V Leck strom: 5µA Dioden-Typ: TVS Verlustleistung pro ...
SHINDENGEN
ST06-18CE-5063R
ab € 0,0657*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 75V; 70A; Idm: 280A; 53W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 53W Polarisie...
SHINDENGEN
P70F7R5EN-5600
ab € 0,97*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 11,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 51W Polaris...
SHINDENGEN
P40F12SN-5600
ab € 0,81*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 10,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polaris...
SHINDENGEN
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ab € 0,69*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62,5W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisieru...
SHINDENGEN
P60B4EL-5071
ab € 0,46*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polarisierung...
SHINDENGEN
P26B10SL-5071
ab € 0,34*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 82A; Idm: 328A; 58W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 82A Widerstand im Leitungszustand: 3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 58W Polarisie...
SHINDENGEN
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ab € 1,19*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62,5W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 18,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisie...
SHINDENGEN
P40B10SL-5071
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 55A; Idm: 220A; 44W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 55A Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polarisie...
SHINDENGEN
P55F6EN-5600
ab € 0,73*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 20W Polarisierung:...
SHINDENGEN
P8B10SB-5071
ab € 0,215*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 40V; 105A; Idm: 315A; 168W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 105A Widerstand im Leitungszustand: 2,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Pola...
SHINDENGEN
P105LF4QN-5071
ab € 0,45*
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 126A; Idm: 504A; 238W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FP (SC83 similar) Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 126A Widerstand im Leitungszustand: 4,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W Polar...
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 32A; Idm: 128A; 44W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polaris...
SHINDENGEN
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Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 5,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...
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