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Vishay SIHR080N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 51 A, 8-Pin 8 x 8LR (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = 8 x 8LR Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

ab € 14 362,23*
pro 3 000 Stück

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Vishay SIHR080N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 51 A, 8-Pin 8 x 8LR (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = 8 x 8LR Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Transistor-Werkstoff = Silicon

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

ab € 4,92*
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VISHAY SIHH080N60E-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 600V, 32A, POWERPAK (3 Angebote)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohm Produktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...

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SIHH080N60E-T1-GE3

ab € 2,18*
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Vishay E Series SiHH080N60E-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 650 V / 32 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 32 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = E Series Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω Channel-Modus = Enhancement Ga...

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SiHH080N60E-T1-GE3

ab € 2,64*
pro Stück

sihr080n60et1ge3 (4 Angebote unter 17 373 475 Artikeln)