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  smd transistor  (12 080 Angebote unter 18 357 716 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pi...
onsemi
HGT1S10N120BNST
€ 2,35*
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IGBT, 1200 V, 75 A, TO-268S, Littelfuse IXGT32N120A3 (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXGT32N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leit...
Littelfuse
IXGT32N120A3
€ 12,62*
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onsemi NJVMJB41CT4G SMD, NPN Transistor 100 V / 6 A 1 MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Transistor-Konfiguration = Einfach K...
onsemi
NJVMJB41CT4G
€ 1,59*
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IGBT, 1200 V, 9 A, TO-252, Littelfuse IXA4I1200UC-TRL (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXA4I1200UC-TRL, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durc...
Littelfuse
IXA4I1200UC-TRL
€ 2,16*
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onsemi 2SC5706-TL-H SMD, NPN Transistor 50 V / 5 A 1 MHz, TP-FA 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 15 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-K...
onsemi
2SC5706-TL-H
€ 0,57*
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IGBT, 1200 V, 88 A, SOT-227B, Littelfuse IXA60IF1200NA (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXA60IF1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch ...
Littelfuse
IXA60IF1200NA
€ 42,08*
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onsemi MJD350T4G SMD, PNP Transistor –300 V / –500 mA, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –300 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,56 W Gleichstromverstärkung min. = ...
onsemi
MJD350T4G
€ 0,81*
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IGBT, 1700 V, 12 A, TO-268S, Littelfuse IXGT6N170 (2 Angebote) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXGT6N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit internationalem Standardgehäuse und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen....
Littelfuse
IXGT6N170
€ 10,94*
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onsemi MJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 85 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,75 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
onsemi
MJD44H11G
€ 1,23*
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IGBT, 1200 V, 9 A, TO-252AA, Littelfuse IXA4I1200UC-TUB (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXA4I1200UC-TUB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durc...
Littelfuse
IXA4I1200UC-TUB
€ 2,10*
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onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:1000, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
onsemi
MJD112G
€ 0,74*
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IGBT, 1700 V, 16 A, TO-268SU, Littelfuse IXGT16N170AH1 (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXGT16N170AH1, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, geringen Leitungsverlusten und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-A...
Littelfuse
IXGT16N170AH1
€ 13,74*
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onsemi MJB42CT4G SMD, PNP Transistor –100 V / -6 A 1 MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 T...
onsemi
MJB42CT4G
€ 1,35*
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IGBT, 1700 V, 10 A, TO-268S, Littelfuse IXGT10N170A (1 Angebot) 
Abbildung kann abweichen. IGBT, IXGT10N170A, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, einer robusten NPT-Struktur und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage m...
Littelfuse
IXGT10N170A
€ 10,25*
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onsemi MJD42CRLG SMD, PNP Transistor –100 V / -6 A 1 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Tr...
onsemi
MJD42CRLG
€ 0,73*
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