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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     1331-2679713
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS413DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 18 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 52 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, MOSFET, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS413DN-T1-GE3, 2679713, 267-9713
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