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| Artikel-Nr.:
822EL-1637317 Herst.-Nr.:
ESDA8P80-1U1M EAN/GTIN:
5059042058253 |
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| Direction Typ = Uni-Directional
Klemmenspannung max. = 13.2V
Durchschlagspannung min. = 6.9V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = QFN
Stand-Off Sperrspannung max. = 6.3V
Pinanzahl = 2
Höchstzulässige Pulsverlustleistung = 1100W
Impulsspitzen-Strom max. = 80A
ESD Schutz = Ja
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Abmessungen = 1.7 x 1.1 x 0.55mm
Höhe = 0.55mm
Überspannungsschutzgeräte für Netzleitungen von ST unterstützen Anwendungen wie Satellitenboxen (LNB), Hochleistungs-DC/DC-Wandler und Telekom-Stromschienen. Die ITA-Serie wurde für industrielle Anwendungen optimiert, SLVU und PEP01 für Ethernet oder PoE und die STIEC45-Serie für DC-StromschienenStoßstrombelastbarkeit bis 500 AMit breitem Gehäuse, einschließlich mehrzeilige Hochleistungs-GerätegehäuseGeräte wurden zur Unterstützung von spezifischen Anwendungen optimiertESDA8P80-1U1M ist eine unidirektionale, einphasige TVS-Diode, die dem Schutz der Netzleitung vor EOS- und ESD-Transienten dient. Das Gerät ist ideal für Anwendungen geeignet, bei denen Hochleistungs-TVS und Platzersparnis auf der Platine erforderlich sind.Niedrige KlemmspannungTypische Spitzenimpulsleistung:1100 W (8/20 μs)Stand-off-Spannung 6,3 VUnidirektionale DiodeGeringer Leckstrom:0,2 μA bei 25 °C Weitere Informationen: | | Direction Typ: | Uni-Directional | Klemmenspannung max.: | 13.2V | Durchschlagspannung min.: | 6.9V | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | QFN | Stand-Off Sperrspannung max.: | 6.3V | Pinanzahl: | 2 | Höchstzulässige Pulsverlustleistung: | 1100W | Impulsspitzen-Strom max.: | 80A | ESD Schutz: | Ja | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Abmessungen: | 1.7 x 1.1 x 0.55mm | Höhe: | 0.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Suppressordiode, smd diode, 1637317, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Suppressordioden TVS, STMicroelectronics, ESDA8P801U1M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TVS Diodes |
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