Vishay THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 6μs, 450nm → 1080nm / 15000μA, 3-Pin TO18

Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Fallzeit typ. = 5µs
Regelanstiegszeit = 6µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 15000µA
Dunkelstrom max. = 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = ±10°
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 3
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = TO18
Abmessungen = 4.69 x 6.15mm
Kollektorstrom = 50mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich = 450 → 1080 nm
Höhe über Panel = 6.15mm

Fototransistoren Serie BPW77NA und BPW77NB. Die Serien BPW77NA und BPW77NB von Vishay Semiconductor sind eine Reihe von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie verfügen über gekapselte TO-18-Gehäuse mit einer Glaslinse. Die Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Sie sind ideal für den Einsatz als Detektoren von elektronischen Steuerungs- und Antriebskreisen.. Merkmale der Fototransistoren BPW77NA und BPW77NB: TO-18-Gehäuse 4,7 mm Durchmesser Durchgangsbohrungsmontage Hohe Fotoempfindlichkeit Hohe Strahlungsempfindlichkeit Schnelle Ansprechzeiten Betriebstemperatur: –40 bis +125 °C