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| Artikel-Nr.:
822EL-1785910 Herst.-Nr.:
FMY1AT148 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 150 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-25
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 120
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 5
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 3 x 1.8 x 1.2mm
Geräte mit zwei Transistoren sind in ultrakompakten Gehäusen erhältlich und eignen sich für verschiedene Anwendungen, wie z. B. Differenzverstärkerschaltungen für Vorverstärker, Hochfrequenzoszillatoren, Treiber-ICs usw.Ultra-kompakter komplexer Bipolar-Transistor Allgemeine Anwendungen Kleines SMD-Gehäuse Bleifrei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 150 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-25 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 120 | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 5 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 3 x 1.8 x 1.2mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1785910, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, ROHM, FMY1AT148, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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