|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1787525 Herst.-Nr.:
BSP52T1G EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,3 V
Höhe = 1.57mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 2000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,9 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 90 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,3 V | Höhe: | 1.57mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1787525, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, BSP52T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
| | |
| |