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| Artikel-Nr.:
822EL-1814940 Herst.-Nr.:
VLS252012HBX-100M-1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Induktivität = 10 μH
Gleichstrom max. = 0.85A
Gehäuse-Form = 252012
Länge = 2.5mm
Tiefe = 2mm
Höhe = 1.2mm
Abmessungen = 2.5 x 2 x 1.2mm
Geschirmt = Ja
Toleranz = ±20%
Gleichstromwiderstand max. = 540mΩ
Serie = VLS-HBX-1
Kernmaterial = Metall
Induktivitätsbauweise = Drahtgewickelt°C
Magnetisch abgeschirmte Drahtinduktivität für Leistungsstromkreise aus einem magnetischen Metallwerkstoff. Ausführung mit hoher magnetischer Abschirmung und kompatibel mit hoher Bauteildichte. Durch die Nutzung des metallischen Magnetwerkstoffs wurde eine höhere Stromstärke erzielt. ANWENDUNG Unter anderem für Smartphones, Tablet-Terminals, HDDs, SSDs, DVCs, DSCs, mobile Display-Panels, tragbare Spielgeräte und kompakte Stromversorgungsmodule Anwendungsanleitungen: Smartphones/Tablets Weitere Informationen: | | Induktivität: | 10 μH | Gleichstrom max.: | 0.85A | Gehäuse-Form: | 252012 | Länge: | 2.5mm | Tiefe: | 2mm | Höhe: | 1.2mm | Abmessungen: | 2.5 x 2 x 1.2mm | Geschirmt: | Ja | Toleranz: | ±20% | Gleichstromwiderstand max.: | 540mΩ | Serie: | VLS-HBX-1 | Kernmaterial: | Metall | Induktivitätsbauweise: | Drahtgewickelt°C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1814940, Passive Bauelemente, Induktivitäten, SMD-Induktivität, TDK, VLS252012HBX100M1, Passive Components, Inductors, Surface Mount Inductors |
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