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| Artikel-Nr.: 822EL-1826899 Herst.-Nr.: DMN6040SE-13 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,1 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 3.55mm Höhe = 1.65mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 7,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 55 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.55mm | Höhe: | 1.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1826899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, DiodesZetex, DMN6040SE13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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