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| Artikel-Nr.:
822EL-1841008 Herst.-Nr.:
MMBZ27VCLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Direction Typ = Uni-Directional
Klemmenspannung max. = 38V
Durchschlagspannung min. = 25.65V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Höchstzulässige Pulsverlustleistung = 40W
Impulsspitzen-Strom max. = 1A
ESD Schutz = Ja
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.01mm
SOT-23-Gehäuse ermöglicht entweder zwei getrennte unidirektionale Konfigurationen oder eine einfache bidirektionale Konfiguration Peak Reverse Spannungsbereich - 12,8 V, 22 V. Standard-Zenerdurchschlagsspannungsbereich - 15 V, 27 V Peak Power: 40 Watts @ 1,0 ms (bidirektional) ESD-Schutzart der Klasse N (über 16 kV) gemäß dem menschlichen Körpermodell Maximale Klemmspannung bei Peak Pulse Current Niedriger Leckstrom< 100 nA Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Vakuumfreies, umspritztes, thermoplastisches Kunststoffgehäuse Oberfläche: Korrosionsbeständige Oberfläche, leicht lötbar Maximale CASE-TEMPERATUR FÜR LÖSCHZWECKE: 260 °C für 10 Sekunden Gehäuse für optimale automatisierte Platinenmontage Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte Erhältlich in 8-mm-Band und Rolle Weitere Informationen: | | Direction Typ: | Uni-Directional | Klemmenspannung max.: | 38V | Durchschlagspannung min.: | 25.65V | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Höchstzulässige Pulsverlustleistung: | 40W | Impulsspitzen-Strom max.: | 1A | ESD Schutz: | Ja | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Z-Diode, Zenerdiode, smd z-diode, smd diode, on semiconductor zenerdiode, 1841008, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Suppressordioden TVS, onsemi, MMBZ27VCLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TVS Diodes |
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