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| Artikel-Nr.:
822EL-1841259 Herst.-Nr.:
MUN5233DW1T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm
Diese Serie von digitalen Transistoren wurde als Ersatz für ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk entwickelt. Der Bias-Widerstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Reihenbasiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand besteht. Die BRT beseitigt diese einzelnen Komponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.Vereinfacht das Schaltungsdesign Reduziert Platinenplatz Verringert die Anzahl der Komponenten Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1841259, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MUN5233DW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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