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| Artikel-Nr.:
822EL-1868676 Herst.-Nr.:
BCW66GLT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 800 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 160
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 75 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.S Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 800 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 160 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 75 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1868676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BCW66GLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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