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| Artikel-Nr.:
822EL-1868808 Herst.-Nr.:
SBC846BPDW1T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN/PNP
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 65 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 380 mW
Transistor-Konfiguration = Dual
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der zweifache NPN PNP Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er ist im Gehäuse SOT-363/SC-88 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.Bleifreies Gehäuse erhältlich S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN/PNP | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 65 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 380 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1868808, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, SBC846BPDW1T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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