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| Artikel-Nr.:
822EL-1924899 Herst.-Nr.:
STL45N60DM6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 44 nC @ 10 V
Höhe = 0.9mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 8 x 8 HV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 160 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 44 nC @ 10 V | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1924899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, STMicroelectronics, STL45N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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