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| Artikel-Nr.:
822EL-195271 Herst.-Nr.:
OP802WSL EAN/GTIN:
k.A. |
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| Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 3000µA
Dunkelstrom max. = 100nA
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 3
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = TO18
Abmessungen = 5.84 x 5.84 x 5.13mm
Kollektorstrom = 50mA
Länge = 5.84mm
Fototransistoren der Serie OP800WSL, OP801WSL und OP802WSL. Bei dieser Familie von NPN-Silizium-Fototransistoren von Optek Technology Inc. handelt es sich um hermetisch gekapselte Geräte. Sie befinden sich in Standard TO-18 Metallgehäusen, die eine hohe Verlustleistung ermöglichen. Aufgrund dieser Gehäuse eignen sie sich besonders für Anwendungen in rauen Umgebungen.. Merkmale der Fototransistoren OP800WSL, OP801WSL und OP802WSL:Metallzylindergehäuse TO-18Hermetisch gekapseltDurchgangsbohrungGroßer EmpfangswinkelSerie von unterschiedlichen EmpfindlichkeitenBetriebstemperatur: –65 bis +125 °C Weitere Informationen: | | Erkennbare Spektren: | IR | Fallzeit typ.: | 7µs | Regelanstiegszeit: | 7µs | Anzahl der Kanäle: | 1 | Lichtstrom max.: | 3000µA | Dunkelstrom max.: | 100nA | Polarität: | NPN | Anzahl der Pins: | 3 | Montage Typ: | THT | Gehäusetyp: | TO18 | Abmessungen: | 5.84 x 5.84 x 5.13mm | Kollektorstrom: | 50mA | Länge: | 5.84mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 195271, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fototransistoren, Optek, OP802WSL, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Phototransistors |
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