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| Artikel-Nr.:
822EL-2060084 Herst.-Nr.:
DMN3401LDW-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 800 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = DMN3401
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 800 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,7 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | DMN3401 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2060084, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, DiodesZetex, DMN3401LDW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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