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| Artikel-Nr.:
822EL-2104957 Herst.-Nr.:
SiDR626LDP-T1-RE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 204 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0012 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 204 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8DC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0012 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 ? 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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