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  sidr626ldpt1re3  (6 Angebote unter 17 569 860 Artikeln)

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Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 204 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0012 Ω Gate-Schwellen...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
ab € 5 235,45*
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Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 204 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0012 Ω Gate-Schwellen...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
ab € 1,64*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 186A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR626LDP-T1-RE3
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIDR626DP-T1-RE3
ab € 5 685,39*
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VISHAY SIDR626LEP-T1-RE3 MOSFET N-KANAL 60V 218A POWERPAK SO-8DC (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kan...
Vishay
SIDR626LEP-T1-RE3
ab € 1,53*
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Vishay SiDR626LEP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 218 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 218 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SiDR626LEP-T1-RE3
ab € 2,44*
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