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| Artikel-Nr.:
822EL-2104956 Herst.-Nr.:
SiDR626LDP-T1-RE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 204 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0012 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 204 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8DC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0012 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 → 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 2104956, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiDR626LDPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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