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Infineon OptiMOS IPG20N10S4L35ATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2207426
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPG20N10S4L35ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
PIN-Diode
SMD-Transistor
pin-diode
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,035 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 16V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = OptiMOS
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,035 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
16V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
OptiMOS
Weitere Suchbegriffe: 2207426, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPG20N10S4L35ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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