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Infineon CoolMOS P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2207457
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R099P6XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
dual transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 109 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,099 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4..5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = CoolMOS P6
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
109 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,099 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4..5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Serie:
CoolMOS P6
Weitere Suchbegriffe: 2207457, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IPW60R099P6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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