Infineon CoolMOS IPW65R110CFDAFKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 99,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = CoolMOS

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt Niedriger Gate-Ladewert Q g. Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise Bessere Effizienz bei geringer Last Geringere Schaltverluste Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich Hohe Qualität und Zuverlässigkeit