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| Artikel-Nr.:
822EL-2207481 Herst.-Nr.:
IRFH3707TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PQFN 3 x 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0124 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard SMD-Gehäuse nach Industriestandard Mögliche Alternative zum SuperSO8-Gehäuse mit hohem RDS(on) Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Industriestandard-Qualifikationsebene Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch Kleiner Formfaktor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PQFN 3 x 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0124 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: pin-diode, 2207481, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRFH3707TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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