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| Artikel-Nr.:
822EL-2207484 Herst.-Nr.:
IRFH5300TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PQFN 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0014 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET
Die Infineon IRFH5300 ist eine leistungsstarke Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PQFN 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0014 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: pin-diode, 2207484, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRFH5300TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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