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| Artikel-Nr.: 822EL-2207488 Herst.-Nr.: IRFHS8342TRPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DFN2020 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,016 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 20V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Serie = HEXFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,016 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 20V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: pin-diode, 2207488, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, Infineon, IRFHS8342TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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